Precision Conditioning Circuit for NCD Piezoresistive Strain Sensors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00222333" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00222333 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Precision Conditioning Circuit for NCD Piezoresistive Strain Sensors

Popis výsledku v původním jazyce

In the paper, strain-gauge sensor design and low voltage precision digital conditioning circuit are presented. The strain sensor was designed using FEM (Finite Element Modeling) and uses piezoresistive strain sensitive boron doped nanocrystalline layers.Nanocrystalline Diamond (NCD) is a very promising material for fabrication of harsh-environment devices (especially high-temperatures due to wide band gap) because of its unique mechanical and electrical properties. The prospective of using diamond is not only in sensors (e.g. MEMS) but in RF and power electronic as well. Since the piezoresistive effect in boron doped diamond layer is lower compared to the silicon, the goal was to develop a very small system with high resolution and low power consumption suitable for wireless powering and data acquisition. The resulting circuit described here uses a single 3.3 V power supply, highly integrated, precision, low noise, 24-bit sigma-delta analog-to-digital converter and ARM Cortex-M3 proce

Název v anglickém jazyce

Precision Conditioning Circuit for NCD Piezoresistive Strain Sensors

Popis výsledku anglicky

In the paper, strain-gauge sensor design and low voltage precision digital conditioning circuit are presented. The strain sensor was designed using FEM (Finite Element Modeling) and uses piezoresistive strain sensitive boron doped nanocrystalline layers.Nanocrystalline Diamond (NCD) is a very promising material for fabrication of harsh-environment devices (especially high-temperatures due to wide band gap) because of its unique mechanical and electrical properties. The prospective of using diamond is not only in sensors (e.g. MEMS) but in RF and power electronic as well. Since the piezoresistive effect in boron doped diamond layer is lower compared to the silicon, the goal was to develop a very small system with high resolution and low power consumption suitable for wireless powering and data acquisition. The resulting circuit described here uses a single 3.3 V power supply, highly integrated, precision, low noise, 24-bit sigma-delta analog-to-digital converter and ARM Cortex-M3 proce

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/VG20102015015" target="_blank" >VG20102015015: Miniaturní inteligentní analyzační systém koncentrací plynů a škodlivých látek, zejména toxických</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2014

ISBN

978-80-214-4985-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

25. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—