Design and fabrication of piezoresistive strain gauges based on nanocrystalline diamond layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00385048" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00385048 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/12:00181679 RIV/68407700:21340/12:00200430

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.022" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.022</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.022" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2011.07.022</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Design and fabrication of piezoresistive strain gauges based on nanocrystalline diamond layers

Popis výsledku v původním jazyce

The paper reports on design, fabrication and characterization of piezoresistive sensors based on boron doped nanocrystalline diamond (NCD) layers. The piezoresistive sensing boron doped diamond thin films were realized on SiO2/Si3N4/Si substrates by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) and the piezoresistive structures were formed by reactive ion etching. The highest gauge factor at higher temperatures (GF = 7.2 at 250 °C) was observed for moderate doping level (boron to carbon ratio of 3000 ppm). One of the aims was the extraction of piezoresistive coefficients of fabricated diamond layers for utilization in a finite element piezoresistive solver.

Název v anglickém jazyce

Design and fabrication of piezoresistive strain gauges based on nanocrystalline diamond layers

Popis výsledku anglicky

The paper reports on design, fabrication and characterization of piezoresistive sensors based on boron doped nanocrystalline diamond (NCD) layers. The piezoresistive sensing boron doped diamond thin films were realized on SiO2/Si3N4/Si substrates by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) and the piezoresistive structures were formed by reactive ion etching. The highest gauge factor at higher temperatures (GF = 7.2 at 250 °C) was observed for moderate doping level (boron to carbon ratio of 3000 ppm). One of the aims was the extraction of piezoresistive coefficients of fabricated diamond layers for utilization in a finite element piezoresistive solver.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

86

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

689-692

Kód UT WoS článku

000301018400025

EID výsledku v databázi Scopus

—