Comparison of ohmic contact formation of titanium and zirconium on boron doped diamond
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00501101" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00501101 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61388955:_____/18:00501101 RIV/68407700:21460/18:00331256
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.39" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.39</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.39" target="_blank" >10.1557/adv.2018.39</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Comparison of ohmic contact formation of titanium and zirconium on boron doped diamond
Popis výsledku v původním jazyce
With a high affinity to carbon comparable to titanium and an electrically conductive carbide, zirconium has potential to form ohmic contact on boron doped diamond. In this work, formation of ohmic contacts on boron doped diamond using zirconium is studied in comparison to titanium. Boron doped diamond epitaxial layers have been grown by microwave plasma enhanced chemical vapour deposition with various B/C ratio. Circular Transmission Line Model structures were fabricated using standard micro-fabrication technologies. Specific contact resistance of fabricated contacts was determined for different boron concentrations and for various annealing temperatures. Ohmic contacts using zirconium are formed after annealing at 400 °C.n
Název v anglickém jazyce
Comparison of ohmic contact formation of titanium and zirconium on boron doped diamond
Popis výsledku anglicky
With a high affinity to carbon comparable to titanium and an electrically conductive carbide, zirconium has potential to form ohmic contact on boron doped diamond. In this work, formation of ohmic contacts on boron doped diamond using zirconium is studied in comparison to titanium. Boron doped diamond epitaxial layers have been grown by microwave plasma enhanced chemical vapour deposition with various B/C ratio. Circular Transmission Line Model structures were fabricated using standard micro-fabrication technologies. Specific contact resistance of fabricated contacts was determined for different boron concentrations and for various annealing temperatures. Ohmic contacts using zirconium are formed after annealing at 400 °C.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
MRS Advances
ISSN
2059-8521
e-ISSN
—
Svazek periodika
3
Číslo periodika v rámci svazku
33
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1931-1935
Kód UT WoS článku
000438845800010
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85049554543