Ion-implantation of erbium to the nanocrystalline diamond thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00302493" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00302493 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60461373:22310/16:43902118 RIV/44555601:13440/16:43888408
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ion-implantation of erbium to the nanocrystalline diamond thin films
Popis výsledku v původním jazyce
High-refractive-index nanocrystalline diamond films deposited on borosilicate glass from a CH4/CO2/H-2 gas mixture by a linear-antenna microwave plasma-enhanced chemical vapour deposition (MW PECVD) were doped by erbium using ion implantation technique. The prepared thin films guided an optical signal in the range of 632-1552 nm and revealed measurable luminescence around 1530 nm. The changes of optical properties and surface morphology were studied more in detail.
Název v anglickém jazyce
Ion-implantation of erbium to the nanocrystalline diamond thin films
Popis výsledku anglicky
High-refractive-index nanocrystalline diamond films deposited on borosilicate glass from a CH4/CO2/H-2 gas mixture by a linear-antenna microwave plasma-enhanced chemical vapour deposition (MW PECVD) were doped by erbium using ion implantation technique. The prepared thin films guided an optical signal in the range of 632-1552 nm and revealed measurable luminescence around 1530 nm. The changes of optical properties and surface morphology were studied more in detail.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI3%2F797" target="_blank" >FR-TI3/797: *Výzkum a vývoj technologie polymerních optických vlnově selektivních prvků pro informatiku a senzoriku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
ISSN
1454-4164
e-ISSN
—
Svazek periodika
18
Číslo periodika v rámci svazku
7-8
Stát vydavatele periodika
RO - Rumunsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
679-684
Kód UT WoS článku
000383819800014
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84994501816