ZNO THIN FILMS PREPARED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00304154" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00304154 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

ZNO THIN FILMS PREPARED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

Popis výsledku v původním jazyce

The DC reactive magnetron sputtering of metallic target in oxide atmosphere is a simple method of depositing the undoped (intrinsic) polycrystalline layers of metal oxides. We have optimized the deposition of zinc oxide (ZnO) thin films on fused silica substrates and investigated the localized defect states below the optical absorption edge down to 0,01% using photothermal deflection spectroscopy (PDS) in a broad spectral range from UV to IR. We have shown that the defect density, the optical absorptance and the related optical attenuation in planar waveguides can be significantly reduced by annealing in air at 400°C.

Název v anglickém jazyce

ZNO THIN FILMS PREPARED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

Popis výsledku anglicky

The DC reactive magnetron sputtering of metallic target in oxide atmosphere is a simple method of depositing the undoped (intrinsic) polycrystalline layers of metal oxides. We have optimized the deposition of zinc oxide (ZnO) thin films on fused silica substrates and investigated the localized defect states below the optical absorption edge down to 0,01% using photothermal deflection spectroscopy (PDS) in a broad spectral range from UV to IR. We have shown that the defect density, the optical absorptance and the related optical attenuation in planar waveguides can be significantly reduced by annealing in air at 400°C.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FR-TI3%2F797" target="_blank" >FR-TI3/797: *Výzkum a vývoj technologie polymerních optických vlnově selektivních prvků pro informatiku a senzoriku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2016 LIST OF ABSTRACTS

ISBN

978-80-87294-68-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

19. 10. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—