Back Electrode Influence on Opto-electronic Properties of Organic Photovoltaic Blend Characterized by Kelvin Probe Force Microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00307344" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00307344 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Back Electrode Influence on Opto-electronic Properties of Organic Photovoltaic Blend Characterized by Kelvin Probe Force Microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Organic photovoltaic (PV) system consisting of P3HT:PCBM blend layer was prepared with an aluminum (Al) back electrode. After the final thermal annealing the Al layer was partially removed. Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) was used to measure photovoltage response to illumination by a solar spectrum light as a function of time (up to 3 weeks). Comparison of the same KPFM measurement on the areas with and without Al revealed differences in both morphology and photovoltage response to illumination. The data are discussed with view to reducing degradation of organic PV devices.

Název v anglickém jazyce

Back Electrode Influence on Opto-electronic Properties of Organic Photovoltaic Blend Characterized by Kelvin Probe Force Microscopy

Popis výsledku anglicky

Organic photovoltaic (PV) system consisting of P3HT:PCBM blend layer was prepared with an aluminum (Al) back electrode. After the final thermal annealing the Al layer was partially removed. Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) was used to measure photovoltage response to illumination by a solar spectrum light as a function of time (up to 3 weeks). Comparison of the same KPFM measurement on the areas with and without Al revealed differences in both morphology and photovoltage response to illumination. The data are discussed with view to reducing degradation of organic PV devices.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2016 LIST OF ABSTRACTS

ISBN

978-80-87294-68-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

19. 10. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—