X-CHIP-03: SOI MAPS radiation sensor with hit-counting and ADC mode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F18%3A00334362" target="_blank" >RIV/68407700:21230/18:00334362 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/18:00334362

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8824681" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8824681</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/NSSMIC.2018.8824681" target="_blank" >10.1109/NSSMIC.2018.8824681</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-CHIP-03: SOI MAPS radiation sensor with hit-counting and ADC mode

Popis výsledku v původním jazyce

This work presents a novel MAPS sensor X-CHIP-03 developed for soft X-ray radiation imaging and advanced dosimetry. X-CHIP-03 was fabricated in a 180 nm SOI CMOS technology. The presented sensor contains a matrix of 64 x 64 pixels with 60 μm pixel pitch. Advantage of this technology is possibility to integrate complex electronics in the pixels while preserving 100% fill factor for radiation detection. Novel feature of this SOI MAPS sensor is capability to operate the sensor in the hit-counting mode or in the ADC mode. The hit counting mode is primarily designed for radiation imaging and the ADC mode is intended for measurement of energy deposited in each pixel. The effective (linear) dynamic range is from 5 keV to 20 keV of the energy deposited in the sensitive layer. The first measurement results are presented.

Název v anglickém jazyce

X-CHIP-03: SOI MAPS radiation sensor with hit-counting and ADC mode

Popis výsledku anglicky

This work presents a novel MAPS sensor X-CHIP-03 developed for soft X-ray radiation imaging and advanced dosimetry. X-CHIP-03 was fabricated in a 180 nm SOI CMOS technology. The presented sensor contains a matrix of 64 x 64 pixels with 60 μm pixel pitch. Advantage of this technology is possibility to integrate complex electronics in the pixels while preserving 100% fill factor for radiation detection. Novel feature of this SOI MAPS sensor is capability to operate the sensor in the hit-counting mode or in the ADC mode. The hit counting mode is primarily designed for radiation imaging and the ADC mode is intended for measurement of energy deposited in each pixel. The effective (linear) dynamic range is from 5 keV to 20 keV of the energy deposited in the sensitive layer. The first measurement results are presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Proceedings (NSS/MIC)

ISBN

978-1-5386-8494-8

ISSN

—

e-ISSN

2577-0829

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.

Místo vydání

—

Místo konání akce

Sydney

Datum konání akce

10. 11. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—