MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00501816" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00501816 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/18:00324690

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/13/06/C06004" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/13/06/C06004</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/13/06/C06004" target="_blank" >10.1088/1748-0221/13/06/C06004</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology

Popis výsledku v původním jazyce

In thiswork, we present a prototype of the MonolithicActive Pixel Sensor (MAPS) called X-CHIP-02 designed in 180 nm SOI CMOS technology. The selected technology has attractive features for fabrication of X-ray imaging sensors: 100 Omega.cm handle wafer resistivity, thick epitaxial layer to suppress back-gate effect, support of high voltage devices and deep trench isolation. X-CHIP-02 has two pixel matrices with the pixel pitch of 50 mu m and 100 mu m with integrated 8-bit photon counting circuitry. Fine pitch SOI monolithic pixels imply small capacitance and thus small electronic noise of approximate to 50 e(-). Design of the sensor chip and basic radiation imaging capabilities are described in this paper.

Název v anglickém jazyce

MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology

Popis výsledku anglicky

In thiswork, we present a prototype of the MonolithicActive Pixel Sensor (MAPS) called X-CHIP-02 designed in 180 nm SOI CMOS technology. The selected technology has attractive features for fabrication of X-ray imaging sensors: 100 Omega.cm handle wafer resistivity, thick epitaxial layer to suppress back-gate effect, support of high voltage devices and deep trench isolation. X-CHIP-02 has two pixel matrices with the pixel pitch of 50 mu m and 100 mu m with integrated 8-bit photon counting circuitry. Fine pitch SOI monolithic pixels imply small capacitance and thus small electronic noise of approximate to 50 e(-). Design of the sensor chip and basic radiation imaging capabilities are described in this paper.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10304 - Nuclear physics

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Instrumentation

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000435599500001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85049687196