Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Precise control of the interlayer twist angle in large scale MoS2 homostructures

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F20%3A00341816" target="_blank" >RIV/68407700:21230/20:00341816 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1038/s41467-020-16056-4" target="_blank" >https://doi.org/10.1038/s41467-020-16056-4</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-16056-4" target="_blank" >10.1038/s41467-020-16056-4</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Precise control of the interlayer twist angle in large scale MoS2 homostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Twist angle between adjacent layers of two-dimensional (2D) layered materials provides an exotic degree of freedom to enable various fascinating phenomena, which opens a research direction-twistronics. To realize the practical applications of twistronics, it is of the utmost importance to control the interlayer twist angle on large scales. In this work, we report the precise control of interlayer twist angle in centimeter-scale stacked multilayer MoS2 homostructures via the combination of wafer-scale highly-oriented monolayer MoS2 growth techniques and a water-assisted transfer method. We confirm that the twist angle can continuously change the indirect bandgap of centimeter-scale stacked multilayer MoS2 homostructures, which is indicated by the photoluminescence peak shift. Furthermore, we demonstrate that the stack structure can affect the electrical properties of MoS2 homostructures, where 30 degrees twist angle yields higher electron mobility. Our work provides a firm basis for the development of twistronics. Interlayer twist angle between vertically stacked 2D material layers can trigger exciting fundamental physics. Here, the authors report precise control of interlayer twist angle of stacked centimeter scale multilayer MoS2 homostructures that enables continuous change in their indirect bandgap, Moire phonons and electrical properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Precise control of the interlayer twist angle in large scale MoS2 homostructures

  • Popis výsledku anglicky

    Twist angle between adjacent layers of two-dimensional (2D) layered materials provides an exotic degree of freedom to enable various fascinating phenomena, which opens a research direction-twistronics. To realize the practical applications of twistronics, it is of the utmost importance to control the interlayer twist angle on large scales. In this work, we report the precise control of interlayer twist angle in centimeter-scale stacked multilayer MoS2 homostructures via the combination of wafer-scale highly-oriented monolayer MoS2 growth techniques and a water-assisted transfer method. We confirm that the twist angle can continuously change the indirect bandgap of centimeter-scale stacked multilayer MoS2 homostructures, which is indicated by the photoluminescence peak shift. Furthermore, we demonstrate that the stack structure can affect the electrical properties of MoS2 homostructures, where 30 degrees twist angle yields higher electron mobility. Our work provides a firm basis for the development of twistronics. Interlayer twist angle between vertically stacked 2D material layers can trigger exciting fundamental physics. Here, the authors report precise control of interlayer twist angle of stacked centimeter scale multilayer MoS2 homostructures that enables continuous change in their indirect bandgap, Moire phonons and electrical properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF15_003%2F0000464" target="_blank" >EF15_003/0000464: Centrum pokročilé fotovoltaiky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    NATURE COMMUNICATIONS

  • ISSN

    2041-1723

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    11

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000531425700034

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85084111228