Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Output Power Change Analysis at Temperature Variation in Case of Synchronous Bi-Directional DC/DC Converter using Wide Band Gap Devices

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00367662" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00367662 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10221526" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10221526</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/PIERS59004.2023.10221526" target="_blank" >10.1109/PIERS59004.2023.10221526</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Output Power Change Analysis at Temperature Variation in Case of Synchronous Bi-Directional DC/DC Converter using Wide Band Gap Devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper shows the designed converter output power changes with the temperature changes in case of various semiconductor switches. Mostly, wide band gap semiconductor-based switches like silicon carbide and GaN have a higher temperature capability than silicon for high power applications. 20-kW synchronous bi-directional DC/DC converters were designed for the silicon and silicon carbide switches using the LTSPICE simulations at different temperatures. The synchronous bi-directional DC/DC converters were designed for 75 kHz switching frequency having the duty cycle of 30 % to achieve the desired output power.

  • Název v anglickém jazyce

    Output Power Change Analysis at Temperature Variation in Case of Synchronous Bi-Directional DC/DC Converter using Wide Band Gap Devices

  • Popis výsledku anglicky

    The paper shows the designed converter output power changes with the temperature changes in case of various semiconductor switches. Mostly, wide band gap semiconductor-based switches like silicon carbide and GaN have a higher temperature capability than silicon for high power applications. 20-kW synchronous bi-directional DC/DC converters were designed for the silicon and silicon carbide switches using the LTSPICE simulations at different temperatures. The synchronous bi-directional DC/DC converters were designed for 75 kHz switching frequency having the duty cycle of 30 % to achieve the desired output power.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedigs of PIERS 2023 in Prague

  • ISBN

  • ISSN

    1559-9450

  • e-ISSN

    1559-9450

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1565-1569

  • Název nakladatele

    Electromagnetics Academy

  • Místo vydání

    Cambridge

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    3. 7. 2023

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku