Power Diode Structures Realized on (113) oriented Boron Doped Diamond
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00368435" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00368435 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://hdl.handle.net/10467/111867" target="_blank" >http://hdl.handle.net/10467/111867</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Power Diode Structures Realized on (113) oriented Boron Doped Diamond
Popis výsledku v původním jazyce
The article deals with the preparation and characterization of ohmic contacts, pseudo-vertical, and vertical Schottky barrier diodes on (113) oriented boron doped diamond.
Název v anglickém jazyce
Power Diode Structures Realized on (113) oriented Boron Doped Diamond
Popis výsledku anglicky
The article deals with the preparation and characterization of ohmic contacts, pseudo-vertical, and vertical Schottky barrier diodes on (113) oriented boron doped diamond.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA20-11140S" target="_blank" >GA20-11140S: Základní prvky diamantové výkonové elektroniky</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ISPS'23 PROCEEDINGS
ISBN
978-80-01-07198-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
69-74
Název nakladatele
České centrum Institution of Engineering and Technology
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
30. 8. 2023
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—