Bezčipový radiofrekvenční identifikační transpondér
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00368743" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00368743 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://isdv.upv.gov.cz/webapp/resdb.print_detail.det?pspis=PT/2022-421&plang=CS" target="_blank" >https://isdv.upv.gov.cz/webapp/resdb.print_detail.det?pspis=PT/2022-421&plang=CS</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Bezčipový radiofrekvenční identifikační transpondér
Popis výsledku v původním jazyce
Bezčipový radiofrekvenční identifikační transpondér je realizovaný na dielektrickém substrátu, jehož spodní strana je opatřena vodivou vrstvou a na jehož horní straně je umístěn vodivý motiv tvořený nejméně jedním rezonátorem ve tvaru pásku. Šířka pásku je v rozmezí 0,0001 až 0,01 λg, celková délka pásku je v rozmezí 0,005 až 0,5 λg, mezera mezi jednotlivými pásky je 0,0001 až 1 λg. Minimálně jeden z pásků vodivého motivu je opatřen alespoň na jedné podélné hraně alespoň jedním zářezem libovolného tvaru. Rezonanční frekvence daného pásku je fn,m, kde n je počet pásků od 1 do N a m je počet zářezů na daném pásku v rozmezí od 0 do M. Platí, že trojnásobek nejnižšího rezonančního kmitočtu f1,M nejdelšího pásku s M zářezy je vyšší než nejvyšší referenční rezonanční kmitočet fN,0 nejkratšího pásku bez zářezu u shodného vodivého motivu tvořeného pouze pásky bez zářezů.
Název v anglickém jazyce
Chipless radio frequency identification transponder
Popis výsledku anglicky
The chipless radio frequency identification transponder is implemented on a dielectric substrate, the bottom side of which is provided with a conductive layer and the top side of which is provided with a conductive motif formed by at least one resonator in the form of a strip. The width of the strip is in the range of 0,0001 to 0,01 λg, the total length of the strip is in the range of 0,005 to 0,5 λg, and the gap between each strip is 0,0001 to 1 λg. At least one of the strips of the conductive motif has at least one notch of any shape on at least one longitudinal edge. The resonant frequency of a given strip is fn,m, where n is the number of strips from 1 to N and m is the number of notches on the strip in the range from 0 to M. It is assumed that three times the lowest resonant frequency f1,M of the longest strip with M notches is higher than the highest reference resonant frequency fN,0 of the shortest strip without notches for an identical conductive motif consisting only of strips without notches.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LTC20012" target="_blank" >LTC20012: Buňkové elektromagnetické struktury s vyššími symetriemi</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
309867
Vydavatel
CZ001 -
Název vydavatele
Industrial Property Office
Místo vydání
Prague
Stát vydání
CZ - Česká republika
Datum přijetí
16. 11. 2023
Název vlastníka
ČVUT v Praze
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence