SpacePix3: SOI MAPS detector for space radiation monitoring

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00373598" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00373598 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/23:00373598

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/10/C10015" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/10/C10015</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/10/C10015" target="_blank" >10.1088/1748-0221/18/10/C10015</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

SpacePix3: SOI MAPS detector for space radiation monitoring

Popis výsledku v původním jazyce

The SpacePix3 monolithic active pixel sensor is a novel ASIC for space radiation monitoring designed in a 180 nm SOI CMOS technology. The detector is capable of detecting and differentiating protons, electrons, and heavy ions. Its active sensor area is 3.84x3.84 mm2, pixel matrix is arranged in a 64x64 square array with 60 µm pitch. The pixel front-end amplifier signal range is 1–80 ke-, extended up to 30 Me- using a backside channel. Diodes integrated in the handle wafer in each pixel are biased at -150 V, creating a depleted layer approximately 35 µm deep. Impinging particle generates a charge pulse converted to a voltage pulse by the charge-sensitive amplifier. Maximum voltage memorized by the peak detector hold circuit is digitized using on-chip 10-bit asynchronous column SAR ADCs. Two readout interfaces are available, 400 MHz LVDS and 50 MHz SPI. Total current consumption is 31 mA from a 1.8 V power supply in the SPI mode.

Název v anglickém jazyce

SpacePix3: SOI MAPS detector for space radiation monitoring

Popis výsledku anglicky

The SpacePix3 monolithic active pixel sensor is a novel ASIC for space radiation monitoring designed in a 180 nm SOI CMOS technology. The detector is capable of detecting and differentiating protons, electrons, and heavy ions. Its active sensor area is 3.84x3.84 mm2, pixel matrix is arranged in a 64x64 square array with 60 µm pitch. The pixel front-end amplifier signal range is 1–80 ke-, extended up to 30 Me- using a backside channel. Diodes integrated in the handle wafer in each pixel are biased at -150 V, creating a depleted layer approximately 35 µm deep. Impinging particle generates a charge pulse converted to a voltage pulse by the charge-sensitive amplifier. Maximum voltage memorized by the peak detector hold circuit is digitized using on-chip 10-bit asynchronous column SAR ADCs. Two readout interfaces are available, 400 MHz LVDS and 50 MHz SPI. Total current consumption is 31 mA from a 1.8 V power supply in the SPI mode.

Druh

J_SC - Článek v periodiku v databázi SCOPUS

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Instrumentation

ISSN

1748-0221

e-ISSN

1748-0221

Svazek periodika

2023

Číslo periodika v rámci svazku

C10015

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85176228403