Optical Spectroscopy of Li-Doped ZnO Thin Films Deposited in the Plasmachemical Reactor with the Hollow Cathode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F03%3A04092910" target="_blank" >RIV/68407700:21340/03:04092910 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical Spectroscopy of Li-Doped ZnO Thin Films Deposited in the Plasmachemical Reactor with the Hollow Cathode

Popis výsledku v původním jazyce

Photoluminescence of pure ZnO and ZnO:Li thin films prepared in the plasmachemical reactor with the hollow cathode can be observed after annealing of samples in the hydrogen atmosphere at temperatures within the range 300 - 600 şC. Photoluminescence wasexcited by light with the photon energy higher than 3.1 eV. Considering the differences between photoluminescence emission spectra of pure and doped ZnO thin films investigated in the spectral region (260 ? 1000 nm) at temperature 12 K, it was concluded(i) photoluminescence emission from the region 3.10-1.77 eV is originated by the intrinsic centers of pure ZnO and (ii) the emission near 1.68 eV is associated with a transition from a state at bottom of the conduction band to a hole trapped in a localized state introduced by Li.

Název v anglickém jazyce

Optical Spectroscopy of Li-Doped ZnO Thin Films Deposited in the Plasmachemical Reactor with the Hollow Cathode

Popis výsledku anglicky

Photoluminescence of pure ZnO and ZnO:Li thin films prepared in the plasmachemical reactor with the hollow cathode can be observed after annealing of samples in the hydrogen atmosphere at temperatures within the range 300 - 600 şC. Photoluminescence wasexcited by light with the photon energy higher than 3.1 eV. Considering the differences between photoluminescence emission spectra of pure and doped ZnO thin films investigated in the spectral region (260 ? 1000 nm) at temperature 12 K, it was concluded(i) photoluminescence emission from the region 3.10-1.77 eV is originated by the intrinsic centers of pure ZnO and (ii) the emission near 1.68 eV is associated with a transition from a state at bottom of the conduction band to a hole trapped in a localized state introduced by Li.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Abstract Book of The 10th European Meeting on Ferroelectricity

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

267-267

Název nakladatele

Cambridge International Science Publishing

Místo vydání

Cambridge

Místo konání akce

Cambridge

Datum konání akce

3. 8. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—