Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Není k dispozici

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F06%3A04120751" target="_blank" >RIV/68407700:21340/06:04120751 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Millimeter precision laser ranging using solid state photon counting

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We are reporting our results in research and development in the field of avalanche semiconductor single photon detectors and their application in high precision laser ranging during the last 20 years. Our objectives where: avalanche detector structure, sensitive area diameters exceeding 50 microns, active quenching and gating electronic circuit, high timing resolution and rugged design. Avalanche photodiodes specifically designed for photon counting devices have been developed on the basis of various semiconductor materials: Si, Ge, SiGe, GaP, GaAs and InGaAs. All the semiconductor detectors operate at a room temperature or at thermoelectrically achievable temperatures except of the germanium based detector, which requires liquid nitrogen cooling. Electronic circuits for these detectors biasing, quenching and control have been developed and optimised for different applications.

  • Název v anglickém jazyce

    Millimeter precision laser ranging using solid state photon counting

  • Popis výsledku anglicky

    We are reporting our results in research and development in the field of avalanche semiconductor single photon detectors and their application in high precision laser ranging during the last 20 years. Our objectives where: avalanche detector structure, sensitive area diameters exceeding 50 microns, active quenching and gating electronic circuit, high timing resolution and rugged design. Avalanche photodiodes specifically designed for photon counting devices have been developed on the basis of various semiconductor materials: Si, Ge, SiGe, GaP, GaAs and InGaAs. All the semiconductor detectors operate at a room temperature or at thermoelectrically achievable temperatures except of the germanium based detector, which requires liquid nitrogen cooling. Electronic circuits for these detectors biasing, quenching and control have been developed and optimised for different applications.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA205%2F05%2F0110" target="_blank" >GA205/05/0110: Stanice laserového družicového radaru pro družice ESA a NASA</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Advanced Photon Counting Techniques

  • ISBN

    0-8194-6470-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    Boston

  • Datum konání akce

    1. 10. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku