Luminiscenční studium pastí nosičů náboje v krystalech Sn2P2S6

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F06%3A04126888" target="_blank" >RIV/68407700:21340/06:04126888 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Luminescence Study of Charge Carrier Traps in Sn2P2S6 Crystals

Popis výsledku v původním jazyce

The dependence of photoluminescence intensity on exposure time was studied on four nominally pure Sn2P2S6 crystals as a function of temperature (12 &#8211; 300 K) and excitation wavelength (300 &#8211; 800 nm). The photoluminescence intensity of the Sn2P2S6 crystals cooled in the dark decreased with time of steady-state excitation with monochromatic light with the wavelength shorter than 510 nm at 12 K. Contrariwise, steady-state excitation with wavelength between 510 and 710 nm increased photoluminescence intensity. Heating of the crystal to suitable higher temperature partially or fully restored the initial photoluminescence intensity at a given temperature.

Název v anglickém jazyce

Luminescence Study of Charge Carrier Traps in Sn2P2S6 Crystals

Popis výsledku anglicky

The dependence of photoluminescence intensity on exposure time was studied on four nominally pure Sn2P2S6 crystals as a function of temperature (12 &#8211; 300 K) and excitation wavelength (300 &#8211; 800 nm). The photoluminescence intensity of the Sn2P2S6 crystals cooled in the dark decreased with time of steady-state excitation with monochromatic light with the wavelength shorter than 510 nm at 12 K. Contrariwise, steady-state excitation with wavelength between 510 and 710 nm increased photoluminescence intensity. Heating of the crystal to suitable higher temperature partially or fully restored the initial photoluminescence intensity at a given temperature.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Book of abstracts of the 10th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials

ISBN

88-548-0668-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

198-198

Název nakladatele

ARACNE editrice S.r.I.

Místo vydání

Roma

Místo konání akce

University of Milano-Bicocca

Datum konání akce

10. 7. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—