Výpočty odezvy polovodičového křemíkového detektoru v polích záření gama

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F07%3A04140070" target="_blank" >RIV/68407700:21340/07:04140070 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Výpočty odezvy polovodičového křemíkového detektoru v polích záření gama
Popis výsledku v původním jazyce
Práce se zabývá sestavením modelu polovodičového křemíkového detektoru pro měření ve směsných polích neutronů a záření gama. Je popsán jak model samotného detektoru, tak používaného konstrukčního provedení celého detekčního systému. Simulována byla (metodou Monte Carlo, programem MCNP) spektra energie deponované v detektoru pro zadaná experimentální uspořádání a zadané fotonové zdroje/energie (v rozsahu do 10 MeV). Pro zadané parametry rozlišení detektoru byly konvolucí s rozlišovací funkcí detektoru vypočteny modelové tvary experimentálních odezev detekčního systému
Název v anglickém jazyce
Calculation of the Semiconductor Silicon Detector Response in the Photon Fields
Popis výsledku anglicky
Model of silicon semiconductor detector determined for measurement in mixed neutron-gamma fields is presented. Model of detector unit as well as whole detection system is described. Energy deposition spectra were simulated (Monte Carlo method, MCNP code)for different experimental arrangements and sources (up to energies MeV). Detection system responses (theoretical output spectra) were calculated by the convolution with detector resolution function

Projekt
<a href="/cs/project/FI-IM3%2F174" target="_blank" >FI-IM3/174: *Použití polovodičových detektorů v rutinních měřidlech ionizujícího záření.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)