Dlouhovlnná emise kvantových teček

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F08%3A04151356" target="_blank" >RIV/68407700:21340/08:04151356 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Long-wavelength Emission of Quantum Dots
Popis výsledku v původním jazyce
This contribution deals with semiconductor heterostructures with self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs). These heterostructures seem to be very perspective for many possible device applications. Measured QDs structures were prepared on semi-insulating GaAs substrates using metal-organic vapor epitaxy. The dependence of photoluminiscence intensity on the emission wavelenght was measured at room temperature. Samples were excited by semiconductor laser operating at 670 nm.
Název v anglickém jazyce
Long-wavelength Emission of Quantum Dots
Popis výsledku anglicky
This contribution deals with semiconductor heterostructures with self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs). These heterostructures seem to be very perspective for many possible device applications. Measured QDs structures were prepared on semi-insulating GaAs substrates using metal-organic vapor epitaxy. The dependence of photoluminiscence intensity on the emission wavelenght was measured at room temperature. Samples were excited by semiconductor laser operating at 670 nm.

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)