Spektrální reflektometrie tenké vrstvy SiO2 na křemíkových deskách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F08%3A04153439" target="_blank" >RIV/68407700:21340/08:04153439 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Spectral reflectometry of SiO2 thin film on the silicon wafers

Popis výsledku v původním jazyce

The method for measurement and computer modeling of reflection spectra of non-absorbing thin films on absorbing substrates in a wide spectral region was developed. The program written in the software package MATLAB enables to fit the measured reflectionspectrum with a theoretical spectral dependence of reflectance of such thin film by means of Levenberg-Marquardt least-squares method. The thin film thickness is the only fitting parameter. Excellent correspondence between the theoretical model and the measured reflection spectrum was proved for SiO2 thin film on silicon wafers in the spectral region 185 - 3100 nm. The obtained thicknesses of SiO2 thin films agree very well with that ones determined by means of spectral interferometry.

Název v anglickém jazyce

Spectral reflectometry of SiO2 thin film on the silicon wafers

Popis výsledku anglicky

The method for measurement and computer modeling of reflection spectra of non-absorbing thin films on absorbing substrates in a wide spectral region was developed. The program written in the software package MATLAB enables to fit the measured reflectionspectrum with a theoretical spectral dependence of reflectance of such thin film by means of Levenberg-Marquardt least-squares method. The thin film thickness is the only fitting parameter. Excellent correspondence between the theoretical model and the measured reflection spectrum was proved for SiO2 thin film on silicon wafers in the spectral region 185 - 3100 nm. The obtained thicknesses of SiO2 thin films agree very well with that ones determined by means of spectral interferometry.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Development of Materials Science in Research and Education

ISBN

978-80-254-0864-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Czechoslovak Association for Crystal Growth

Místo vydání

Prague

Místo konání akce

Hnanice

Datum konání akce

2. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—