Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser Generating 1 ns Long Pulses at 1338 nm

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F10%3A00168325" target="_blank" >RIV/68407700:21340/10:00168325 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser Generating 1 ns Long Pulses at 1338 nm

Popis výsledku v původním jazyce

Q-switched microchip laser emitting radiation at wavelength 1338 nm was designed and constructed to obtain nanosecond laser pulses with multikilowatt peak power. This laser was based on a composite crystal which combines in one piece an active laser part(2 mm long Nd:YAG crystal) and a saturable absorber (0.6 mm long V :YAG). The initial transmission of the V:YAG part was85 %. The pump mirror was placed on the Nd:YAG part. The output coupler with reflection 90 % was placed on the V :YAG part. Laser wastested under pulsed diode pumping (wavelength 808 nm, energy 5.1 mJ, repetition rate 25 Hz - 2 kHz). The generated pulse length was stable and it was equaled to 1.07 ns. Up to the highest mean pumping power 10 W, the output beam had well-defined Gaussian transversal profile. For the lowest pumping rep. rate, the generated pulse energy and peak power was 34 uJ and 33 kW, respectively. For maximum pumping rep. rate the pulse peak power was 14 kW.

Název v anglickém jazyce

Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser Generating 1 ns Long Pulses at 1338 nm

Popis výsledku anglicky

Q-switched microchip laser emitting radiation at wavelength 1338 nm was designed and constructed to obtain nanosecond laser pulses with multikilowatt peak power. This laser was based on a composite crystal which combines in one piece an active laser part(2 mm long Nd:YAG crystal) and a saturable absorber (0.6 mm long V :YAG). The initial transmission of the V:YAG part was85 %. The pump mirror was placed on the Nd:YAG part. The output coupler with reflection 90 % was placed on the V :YAG part. Laser wastested under pulsed diode pumping (wavelength 808 nm, energy 5.1 mJ, repetition rate 25 Hz - 2 kHz). The generated pulse length was stable and it was equaled to 1.07 ns. Up to the highest mean pumping power 10 W, the output beam had well-defined Gaussian transversal profile. For the lowest pumping rep. rate, the generated pulse energy and peak power was 34 uJ and 33 kW, respectively. For maximum pumping rep. rate the pulse peak power was 14 kW.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of SPIE Vol.7721 - Solid State Lasers and Amplifiers IV, and High-Power Lasers

ISBN

978-0-8194-8194-8

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Washington

Místo konání akce

Brusel

Datum konání akce

12. 4. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000285295200030