Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F13%3A00211927" target="_blank" >RIV/68407700:21340/13:00211927 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepa- red by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage havea broad spectrum of applications in optoelectronics.

  • Název v anglickém jazyce

    Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field

  • Popis výsledku anglicky

    In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepa- red by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage havea broad spectrum of applications in optoelectronics.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Třetí studentská vědecká konference fyziky pevných látek

  • ISBN

    978-80-01-05344-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    40-45

  • Název nakladatele

    ČVUT, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Dvorská bouda

  • Datum konání akce

    28. 6. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku