Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00241809" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00241809 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60461373:22310/14:43898451 RIV/68407700:21230/14:00241809

  • Výsledek na webu

    <a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304312.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304312.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku, připravitelné tvarováním z výchozích rovinných monokrystalických křemíkových plátků (1) zahříváním z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté ochlazením, přičemž tvarování, zahřívání i ochlazování je prováděno v ochranné atmosféře samotného vodíku nebo v ochranné atmosféře směsi kyslíku s argonem, nebo kyslíku s dusíkem při parciálním tlaku kyslíku v rozmezí 1.10-8 Pa až 21 kPa, a při současném působení přítlačnou silou v rozpětí 1 až 200 N, kde každý monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) a) je předem dopovaný alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen a antimon, v množstvído 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu výchozího monokrystalického křemíkového plátku; b) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; c) má tloušťku pod 0,8 mm; d) má krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; e) má střední hodnotu mikrodrsnost

  • Název v anglickém jazyce

    Heat shaped silicon lamellas for precise X-ray optics

  • Popis výsledku anglicky

    A single-crystal silicon lamella (1) is preliminary doped with at least one element being selected from the group consisting of boron, phosphorus, arsenic and antimony, in an amount of from about 0 to about 2.0.10e21 atoms in one cme3 of material of thestarting single-crystal silicon lamella (1). The starting single-crystal silicon lamella (1) is planar and exhibits planarity below 10 microns. The thickness of the starting single-crystal silicon lamella (1) is less than 0.8 mm; crystallographic orientation <100> or <111>; and average value of surface microroughness Ria less than 0.6 nm on a functional reflecting surface. The resulting single-crystal silicon lamella (10) exhibits a precise optical shape of the functional reflecting surface with a deviation from the required shape below 20 microns and high optical quality with an average value of microroughness Ria less than 1.0 nm, preferably less than 0.4 nm. The starting single-crystal silicon lamella (1) preferably exhibit specific

Klasifikace

  • Druh

    P - Patent

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/IAAX01220701" target="_blank" >IAAX01220701: Materiálové a rentgenooptické vlastnosti tvarovaných křemíkových plátků</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Číslo patentu nebo vzoru

    304312

  • Vydavatel

    CZ001 -

  • Název vydavatele

    Industrial Property Office

  • Místo vydání

    Prague

  • Stát vydání

    CZ - Česká republika

  • Datum přijetí

    15. 1. 2014

  • Název vlastníka

    České vysoké učení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská; Vysoká škola chemicko - technologická v Praze

  • Způsob využití

    A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

  • Druh možnosti využití

    N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)