Způsob tepelného tvarování křemíkových plátků pro přesnou rentgenovou optiku

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00241817" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00241817 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60461373:22310/14:43898454 RIV/68407700:21230/14:00241817

Výsledek na webu

<a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304298.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304298.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Způsob tepelného tvarování křemíkových plátků pro přesnou rentgenovou optiku

Popis výsledku v původním jazyce

Tepelné tvarování se provádí plastickou deformací z rovinných monokrystalických výchozích křemíkových plátků (1), kde každý výchozí křemíkový plátek (1) se připraví z materiálu, který se předem dopuje alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen, antimon, v množství do 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu monokrystalického výchozího křemíkového Si plátku (1). Každý výchozí křemíkový Si plátek (1) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; tloušťku 0,2 až 0,8 mm; krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; a střední hodnotu mikrodrsnosti Ra povrchu 0,2 až 0,6 nm na funkčním odrazovém povrchu. Každý takovýto monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) se zahřívá z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté se ochladí, což se provádí v ochranné atmosféře s parciálním tlakem kyslíku v rozmezí 1.10-8 Paaž 21 kPa nebo v ochranné atmosféře samotného čistého vodíku. Po celou tuto dobu se na výchozí

Název v anglickém jazyce

Method of heat molding silicon wafers for precise X-ray optics

Popis výsledku anglicky

In the present invention, there is disclosed a heat molding silicon wafers by plastic deformation from starting monocrystalline silicon slices (1), wherein each starting silicon slice (1) is prepared from a material, which is preliminary doped with at least one element being selected from the group consisting of boron, phosphorus, arsenic, and antimony in an amount up to 1.8.10e21 atoms in one cme3 of the starting monocrystalline silicon (Si) slice material. Each starting monocrystalline silicon (Si) slice (1) exhibits a flatness less than 10 microns; thickness in the range of 0.2 to 0.8 mm; crystallographic orientation <100> or <111>; and average value of surface microroughness Ria in the range of 0.2 to 0.6 nm on a functional reflecting surface. Eachsuch starting monocrystalline silicon (Si) slice (1) is heated from the ambient temperature to a molding temperature in the range of 1200 to 1400 degC with a dwell on the constant temperature value for a period of 1 minute to 6 hours. Su

Druh

P - Patent

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAAX01220701" target="_blank" >IAAX01220701: Materiálové a rentgenooptické vlastnosti tvarovaných křemíkových plátků</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

304298

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

8. 1. 2014

Název vlastníka

České vysoké učení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská; Vysoká škola chemicko - technologická v Praze

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)