Mechanické vlastnosti amorfních a mikrokrystalických křemíkových vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00321380" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00321380 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989592:15310/08:00005881

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mechanical properties of amorphous and microcrystalline silicon films

Popis výsledku v původním jazyce

Hydrogen-free amorphous silicon (a-Si) films were prepared by magnetron sputtering of pure silicon. Mechanical properties (hardness, intrinsic stress, elastic modulus), and film structure (Raman spectra, electron diffraction) were investigated in dependence on the substrate bias and temperature. The increasing negative substrate bias or Ar pressure results in simultaneous reducing compressive stress, the film hardness and elastic modulus. The crystalline structure (c-Si) starts to be formed at deposition temperature of 700 °C. The hardness and elastic modulus of c-Si films were very close to monocrystalline Si(111). Phase transformations observed in the samples at indentation depend not only on the load and loading rate but also on the initial phase ofsilicon. However, the film hardness is not too sensitive to the presence of phase transformations.

Název v anglickém jazyce

Mechanical properties of amorphous and microcrystalline silicon films

Popis výsledku anglicky

Hydrogen-free amorphous silicon (a-Si) films were prepared by magnetron sputtering of pure silicon. Mechanical properties (hardness, intrinsic stress, elastic modulus), and film structure (Raman spectra, electron diffraction) were investigated in dependence on the substrate bias and temperature. The increasing negative substrate bias or Ar pressure results in simultaneous reducing compressive stress, the film hardness and elastic modulus. The crystalline structure (c-Si) starts to be formed at deposition temperature of 700 °C. The hardness and elastic modulus of c-Si films were very close to monocrystalline Si(111). Phase transformations observed in the samples at indentation depend not only on the load and loading rate but also on the initial phase ofsilicon. However, the film hardness is not too sensitive to the presence of phase transformations.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

516

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000257452200046

EID výsledku v databázi Scopus

—