Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tvrdost nanokompozitních vrstev a-C:Si deponovaných magnetronovým naprašováním

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00096427" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00096427 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hardness of nanocomposite a-C:Si films deposited by magnetron sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Hydrogen-free a-C:Si films with Si concentration from 3 to 70 at.% were prepared by magnetron co-sputtering of pure graphite and silicon targets.Mechanical properties (hardness, intrinsic stress), film composition (EPMA and XPS) and film structure (electron diffraction, Raman spectra) were investigated in dependence on Si concentration, substrate bias and deposition temperature. The film hardness was maximal for -45 at.% of Si and deposition temperatures 600 and 800 °C. Reflection electron diffraction indicated an amorphous structure of prepared films.Raman spectra showed that the films in the range of 35 - 70 at.% of Si always contain three bands corresponding to the Si, SiC and C clusters

  • Název v anglickém jazyce

    Hardness of nanocomposite a-C:Si films deposited by magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    Hydrogen-free a-C:Si films with Si concentration from 3 to 70 at.% were prepared by magnetron co-sputtering of pure graphite and silicon targets.Mechanical properties (hardness, intrinsic stress), film composition (EPMA and XPS) and film structure (electron diffraction, Raman spectra) were investigated in dependence on Si concentration, substrate bias and deposition temperature. The film hardness was maximal for -45 at.% of Si and deposition temperatures 600 and 800 °C. Reflection electron diffraction indicated an amorphous structure of prepared films.Raman spectra showed that the films in the range of 35 - 70 at.% of Si always contain three bands corresponding to the Si, SiC and C clusters

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Diamond and Related Materials

  • ISSN

    0925-9635

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    16

  • Číslo periodika v rámci svazku

    -

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    167-173

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus