Identification of Surface Defects and Subsurface Dopants in a Delta-Doped System Using Simultaneous nc-AFM/STM and DFT

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00369807" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00369807 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/14:00436462

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1021/jp503410j" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/jp503410j</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/jp503410j" target="_blank" >10.1021/jp503410j</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Identification of Surface Defects and Subsurface Dopants in a Delta-Doped System Using Simultaneous nc-AFM/STM and DFT

Popis výsledku v původním jazyce

We have studied the near surface defects of the delta-doped B:Si(111)-(root 3 x root 3)R30 degrees system using a combination of scanning tunneling microscopy, noncontact atomic force microscopy, Kelvin probe force spectroscopy, total energy OFT, and STM theoretical simulations. We positively identify and characterize two near surface defects: the adatom vacancy and a B substitutional defect located in the second Si bilayer. We also confirm the assignment of the dangling-bond defect. Additionally, the influence that the subsurface B dopants have on the surface electronic structure, the modulation of the surface potential and the chemical activity of the surface is investigated.

Název v anglickém jazyce

Identification of Surface Defects and Subsurface Dopants in a Delta-Doped System Using Simultaneous nc-AFM/STM and DFT

Popis výsledku anglicky

We have studied the near surface defects of the delta-doped B:Si(111)-(root 3 x root 3)R30 degrees system using a combination of scanning tunneling microscopy, noncontact atomic force microscopy, Kelvin probe force spectroscopy, total energy OFT, and STM theoretical simulations. We positively identify and characterize two near surface defects: the adatom vacancy and a B substitutional defect located in the second Si bilayer. We also confirm the assignment of the dangling-bond defect. Additionally, the influence that the subsurface B dopants have on the surface electronic structure, the modulation of the surface potential and the chemical activity of the surface is investigated.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

21001 - Nano-materials (production and properties)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physical Chemistry C

ISSN

1932-7447

e-ISSN

1932-7455

Svazek periodika

118

Číslo periodika v rámci svazku

29

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

15744-15753

Kód UT WoS článku

000339540700021

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84904975693