Characterization of a Depleted Monolithic Active Pixel Sensor (DMAPS) prototype

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F15%3A00240135" target="_blank" >RIV/68407700:21340/15:00240135 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/10/03/C03049/pdf" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/10/03/C03049/pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/10/03/C03049" target="_blank" >10.1088/1748-0221/10/03/C03049</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of a Depleted Monolithic Active Pixel Sensor (DMAPS) prototype

Popis výsledku v původním jazyce

New monolithic pixel detectors integrating CMOS electronics and sensor on the same silicon substrate are currently explored for particle tracking in future HEP experiments, most notably at the LHC. The innovative concept of Depleted Monolithic Active Pixel Sensors (DMAPS) is based on high resistive silicon bulk material enabling full substrate depletion and the application of an electrical drift field for fast charge collection, while retaining full CMOS capability for the electronics. The technology (150 nm) used offers quadruple wells and allows to implement the pixel electronics with independently isolated N- and PMOS transistors. Results of initial studies on the charge collection and sensor performance are presented.

Název v anglickém jazyce

Characterization of a Depleted Monolithic Active Pixel Sensor (DMAPS) prototype

Popis výsledku anglicky

New monolithic pixel detectors integrating CMOS electronics and sensor on the same silicon substrate are currently explored for particle tracking in future HEP experiments, most notably at the LHC. The innovative concept of Depleted Monolithic Active Pixel Sensors (DMAPS) is based on high resistive silicon bulk material enabling full substrate depletion and the application of an electrical drift field for fast charge collection, while retaining full CMOS capability for the electronics. The technology (150 nm) used offers quadruple wells and allows to implement the pixel electronics with independently isolated N- and PMOS transistors. Results of initial studies on the charge collection and sensor performance are presented.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020069" target="_blank" >TE01020069: Progresívní detekční systémy ionizujícího záření</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

JOURNAL OF INSTRUMENTATION

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Svazek periodika

2015

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84950324511