Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A study of single event effects induced by heavy charged particles in 180 nm SoI technology

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F18%3A00334359" target="_blank" >RIV/68407700:21340/18:00334359 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8824677" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8824677</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/NSSMIC.2018.8824677" target="_blank" >10.1109/NSSMIC.2018.8824677</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A study of single event effects induced by heavy charged particles in 180 nm SoI technology

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This article presents a measurement of the SEU bit-flip cross section of the X-CHIP-03 ASIC manufactured in a 180 nm PDSoI technology. The measurements were performed using a shift register in the X-CHIP-03 ASIC made with custom D flip-flops. The bit-flip cross sections and ASIC power consumption measurements were performed while irradiating the device with Ne, Ar and Xe ions, provided by the U400M isochronous cyclotron at the FLNR laboratory at JINR.

  • Název v anglickém jazyce

    A study of single event effects induced by heavy charged particles in 180 nm SoI technology

  • Popis výsledku anglicky

    This article presents a measurement of the SEU bit-flip cross section of the X-CHIP-03 ASIC manufactured in a 180 nm PDSoI technology. The measurements were performed using a shift register in the X-CHIP-03 ASIC made with custom D flip-flops. The bit-flip cross sections and ASIC power consumption measurements were performed while irradiating the device with Ne, Ar and Xe ions, provided by the U400M isochronous cyclotron at the FLNR laboratory at JINR.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF16_013%2F0001569" target="_blank" >EF16_013/0001569: Brookhavenská národní laboratoř - účast České republiky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Proceedings (NSS/MIC)

  • ISBN

    978-1-5386-8494-8

  • ISSN

  • e-ISSN

    2577-0829

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.

  • Místo vydání

  • Místo konání akce

    Sydney

  • Datum konání akce

    10. 11. 2018

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku