TID and SEU testing of the novel X-CHIP-03 monolithic pixel detector

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F20%3A00538009" target="_blank" >RIV/61389005:_____/20:00538009 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/20:00538009 RIV/44555601:13440/20:43895458 RIV/68407700:21340/20:00338550

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1088/1748-0221/15/01/C01043" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1748-0221/15/01/C01043</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/01/C01043" target="_blank" >10.1088/1748-0221/15/01/C01043</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

TID and SEU testing of the novel X-CHIP-03 monolithic pixel detector

Popis výsledku v původním jazyce

We present a SEE and TID effect study of the novel monolithic pixel detector, X-CHIP-03, manufactured in a 180 nm SOI technology. The SEU cross section of the custom D flip-flops in the X-CHIP-03 ASIC has been evaluated using accelerated ions with LET ranging from 0.45 to 69 MeVċcm2ċmg−1. The global TID response of the X-CHIP-03 has been evaluated at a dose rate of 16.2 Gyċmin−1. The direct I-V measurements of transistor properties were made under identical radiation conditions using the predecessor X-CHIP-02 ASIC manufactured in the same technology, which contains the transistor testing matrices for TID measurements.n

Název v anglickém jazyce

TID and SEU testing of the novel X-CHIP-03 monolithic pixel detector

Popis výsledku anglicky

We present a SEE and TID effect study of the novel monolithic pixel detector, X-CHIP-03, manufactured in a 180 nm SOI technology. The SEU cross section of the custom D flip-flops in the X-CHIP-03 ASIC has been evaluated using accelerated ions with LET ranging from 0.45 to 69 MeVċcm2ċmg−1. The global TID response of the X-CHIP-03 has been evaluated at a dose rate of 16.2 Gyċmin−1. The direct I-V measurements of transistor properties were made under identical radiation conditions using the predecessor X-CHIP-02 ASIC manufactured in the same technology, which contains the transistor testing matrices for TID measurements.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10304 - Nuclear physics

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Instrumentation

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Svazek periodika

15

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

1-11

Kód UT WoS článku

000525449100043

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85081644298