Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Yb:YAG/Cr:YAG Microchip Laser Output Energy Optimization

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F19%3A00334051" target="_blank" >RIV/68407700:21340/19:00334051 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2520918" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2520918</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2520918" target="_blank" >10.1117/12.2520918</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Yb:YAG/Cr:YAG Microchip Laser Output Energy Optimization

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The influence of pumping beam diameter on output of the room-Temperature operated Q-switched longitudinally diode-pumped Yb:YAG microchip laser was investigated. The tested microchip laser was based on monolith crystal (diameter 3mm) which combines in one piece an active laser part (Yb:YAG crystal, 10 at.% Yb/Y, 3mm long) and saturable absorber (Cr:YAG crystal, 1.36mm long, initial transmission 90% @ 1031 nm). The microchip resonator consisted of dielectric mirrors directly deposited on the monolith surfaces. The pump mirror was placed on the Yb:YAG part. The output coupler with reflection 55% for the generated wavelength was placed on the Cr3+-doped part. For longitudinal pumping, fibre coupled laser diode was used. The diode was operating in pulsed regime. Three various pumping optics offering pumping beam radius 0.21, 0.27, and 0.32 mm were used. The wavelength of microchip laser emission was 1031 nm. The pumping beam radius did not significantly inuenced the pulse duration which was 1.5 ns (FWHM) in all three cases. The highest generated single Q-switched pulse energy (1.08 mJ) was obtained for pumping beam radius 0.27mm for maximum pumping. The corresponding peak power was 0.72MW.

  • Název v anglickém jazyce

    Yb:YAG/Cr:YAG Microchip Laser Output Energy Optimization

  • Popis výsledku anglicky

    The influence of pumping beam diameter on output of the room-Temperature operated Q-switched longitudinally diode-pumped Yb:YAG microchip laser was investigated. The tested microchip laser was based on monolith crystal (diameter 3mm) which combines in one piece an active laser part (Yb:YAG crystal, 10 at.% Yb/Y, 3mm long) and saturable absorber (Cr:YAG crystal, 1.36mm long, initial transmission 90% @ 1031 nm). The microchip resonator consisted of dielectric mirrors directly deposited on the monolith surfaces. The pump mirror was placed on the Yb:YAG part. The output coupler with reflection 55% for the generated wavelength was placed on the Cr3+-doped part. For longitudinal pumping, fibre coupled laser diode was used. The diode was operating in pulsed regime. Three various pumping optics offering pumping beam radius 0.21, 0.27, and 0.32 mm were used. The wavelength of microchip laser emission was 1031 nm. The pumping beam radius did not significantly inuenced the pulse duration which was 1.5 ns (FWHM) in all three cases. The highest generated single Q-switched pulse energy (1.08 mJ) was obtained for pumping beam radius 0.27mm for maximum pumping. The corresponding peak power was 0.72MW.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/FV10124" target="_blank" >FV10124: Nové laserové tyče a disky pro moderní diodově čerpané lasery</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proc. SPIE 11033, High-Power, High-Energy, and High-Intensity Laser Technology IV

  • ISBN

    978-1-5106-2732-1

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

    1996-756X

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    1. 4. 2019

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000483017000020