Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Alexandrite Microchip Lasers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F19%3A00334097" target="_blank" >RIV/68407700:21340/19:00334097 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1364/OE.27.016975" target="_blank" >https://doi.org/10.1364/OE.27.016975</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1364/OE.27.016975" target="_blank" >10.1364/OE.27.016975</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Alexandrite Microchip Lasers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report on a continuous-wave alexandrite (Cr3+:BeAl2O4) microchip lasers operating at 680.4 nm and 749.5 nm laser wavelengths. Microchip resonators were realized by dielectric mirrors directly deposited on the alexandrite crystal surfaces. InGaN laser diode providing up to 3.5 W of the output power at similar to 445 nm wavelength was used as a pump source. More than 210 mW and 570 mW of the laser radiation have been extracted from the microchip laser systems at 680.4 nm and 749.5 nm wavelengths, respectively. The corresponding slope efficiencies related to absorbed pump power were 15 % and 39 %. (C) 2019 Optical Society of America under the terms of the OSA Open Access Publishing Agreement

  • Název v anglickém jazyce

    Alexandrite Microchip Lasers

  • Popis výsledku anglicky

    We report on a continuous-wave alexandrite (Cr3+:BeAl2O4) microchip lasers operating at 680.4 nm and 749.5 nm laser wavelengths. Microchip resonators were realized by dielectric mirrors directly deposited on the alexandrite crystal surfaces. InGaN laser diode providing up to 3.5 W of the output power at similar to 445 nm wavelength was used as a pump source. More than 210 mW and 570 mW of the laser radiation have been extracted from the microchip laser systems at 680.4 nm and 749.5 nm wavelengths, respectively. The corresponding slope efficiencies related to absorbed pump power were 15 % and 39 %. (C) 2019 Optical Society of America under the terms of the OSA Open Access Publishing Agreement

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optics Express

  • ISSN

    1094-4087

  • e-ISSN

    1094-4087

  • Svazek periodika

    27

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    16975-16982

  • Kód UT WoS článku

    000470849000076

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85066996750