Pr:YAlO3 Microchip Laser

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F10%3A00170505" target="_blank" >RIV/68407700:21340/10:00170505 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Pr:YAlO3 Microchip Laser

Popis výsledku v původním jazyce

A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation in the near-infrared spectral region is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly deposited on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. For active medium pumping, GaN laser diode providing up to 1 W of output power at 448 nm was used. 139 mW of laser radiation at 747 nm wavelength has been extracted from the microchip laser system. Slope efficiency related to the incident pumping power was 25 %.

Název v anglickém jazyce

Pr:YAlO3 Microchip Laser

Popis výsledku anglicky

A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation in the near-infrared spectral region is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly deposited on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. For active medium pumping, GaN laser diode providing up to 1 W of output power at 448 nm was used. 139 mW of laser radiation at 747 nm wavelength has been extracted from the microchip laser system. Slope efficiency related to the incident pumping power was 25 %.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optics Letters

ISSN

0146-9592

e-ISSN

—

Svazek periodika

35

Číslo periodika v rámci svazku

15

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000281056700019

EID výsledku v databázi Scopus

—