Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F11%3A00181186" target="_blank" >RIV/68407700:21340/11:00181186 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/lapl.201010108" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/lapl.201010108</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/lapl.201010108" target="_blank" >10.1002/lapl.201010108</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal front surfaces. GaN laser diode providing up to 1 W of output power at 448 nm was used as a pumping source. Output characteristics were investigated at different active medium temperature within the range of 11-35 °C. The best result 27.4 mW of output power has been reached at 11°C. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.

  • Název v anglickém jazyce

    Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

  • Popis výsledku anglicky

    A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal front surfaces. GaN laser diode providing up to 1 W of output power at 448 nm was used as a pumping source. Output characteristics were investigated at different active medium temperature within the range of 11-35 °C. The best result 27.4 mW of output power has been reached at 11°C. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Laser Physics Letters

  • ISSN

    1612-2011

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    8

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    116-119

  • Kód UT WoS článku

    000287162300005

  • EID výsledku v databázi Scopus