Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F11%3A00181192" target="_blank" >RIV/68407700:21340/11:00181192 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm
Popis výsledku v původním jazyce
A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. As a pumping source, 1-W GaN laser-diode was used. The maximal output powerof 27.4 mW was reached at 11°C active medium temperature. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.
Název v anglickém jazyce
Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm
Popis výsledku anglicky
A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. As a pumping source, 1-W GaN laser-diode was used. The maximal output powerof 27.4 mW was reached at 11°C active medium temperature. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Advanced Solid-State Photonics - Technical Digest
ISBN
978-1-55752-904-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
"ATuB29-1"-"ATuB29-3"
Název nakladatele
OSA
Místo vydání
Washington
Místo konání akce
Istanbul
Datum konání akce
13. 2. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—