Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F11%3A00181192" target="_blank" >RIV/68407700:21340/11:00181192 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. As a pumping source, 1-W GaN laser-diode was used. The maximal output powerof 27.4 mW was reached at 11°C active medium temperature. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.

  • Název v anglickém jazyce

    Pr:YAlO3 Microchip Laser at 662 nm

  • Popis výsledku anglicky

    A continuous-wave Pr:YAlO3 microchip laser operation at 662 nm is reported. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly coated on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. As a pumping source, 1-W GaN laser-diode was used. The maximal output powerof 27.4 mW was reached at 11°C active medium temperature. The slope efficiency related to the incident pumping power was 9 %.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Advanced Solid-State Photonics - Technical Digest

  • ISBN

    978-1-55752-904-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    "ATuB29-1"-"ATuB29-3"

  • Název nakladatele

    OSA

  • Místo vydání

    Washington

  • Místo konání akce

    Istanbul

  • Datum konání akce

    13. 2. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku