747 nm Pr:YAP Microchip-laser Output Characteristics
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F11%3A00181155" target="_blank" >RIV/68407700:21340/11:00181155 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.873046" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.873046</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.873046" target="_blank" >10.1117/12.873046</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
747 nm Pr:YAP Microchip-laser Output Characteristics
Popis výsledku v původním jazyce
Laser characteristics of Pr:YAlO3 microchip laser operating in the near-infrared spectral region are reported. For active medium pumping, GaN laser diode providing up to 1 W of output power at ~448 nm was employed. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly deposited on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. The continuous-wave output radiation at 747 nm with maximum power of 139 mW has been extracted from the microchip laser system. Slope efficiency related to the incident pumping power was25 %.
Název v anglickém jazyce
747 nm Pr:YAP Microchip-laser Output Characteristics
Popis výsledku anglicky
Laser characteristics of Pr:YAlO3 microchip laser operating in the near-infrared spectral region are reported. For active medium pumping, GaN laser diode providing up to 1 W of output power at ~448 nm was employed. Microchip resonator was formed by dielectric mirrors directly deposited on the Pr:YAlO3 crystal surfaces. The continuous-wave output radiation at 747 nm with maximum power of 139 mW has been extracted from the microchip laser system. Slope efficiency related to the incident pumping power was25 %.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE Vol. 7912 - Solid State Lasers XX: Technology and Devices
ISBN
978-0-8194-8449-9
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
"79121X-1"-"79121X-6"
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Washington
Místo konání akce
San Francisco, California
Datum konání akce
22. 1. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000297726600051