Luminiscence barevných center v tenkých diamantových vrstvách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F20%3A00344693" target="_blank" >RIV/68407700:21340/20:00344693 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Luminiscence barevných center v tenkých diamantových vrstvách

Popis výsledku v původním jazyce

Výzkum se zabývá vlivem koncentrace depozičních plynů při výrobě tenkých diamantových vrstev. Konkrétně plynu silanu na luminiscenční aktivitu center křemík–uhlíková vakance. Motivací pro přidání SiH4 do směsi reakčních plynů byl předpoklad, že jeho přítomnost podpoří zabudování křemíku do tenké nanodiamantové vrstvy a tím dojde ke zvýšení intenzity luminiscence center křemík–uhlíková vakance. Aplikace tenkých diamantových vrstev s takovýmito barevnými centry nachází své místo v biozobrazování a ve formě nanočástic mají velký potenciál pro využití jako zdroje jednotlivých fotonů.

Název v anglickém jazyce

Colour center luminescence in thin diamond films

Popis výsledku anglicky

The research project deals with the influence of the concentration of deposition gases in the production of thin diamond films. The work follows up on the bachelor’s project entitled Optical spectroscopy of thin diamond layers, where the effects of CO2 and Ar gases were discussed and extends the study of the effect of silane gas on the luminescence activity of silicon-vacancy centers. The motivation for adding SiH4 to the reaction gas mixture was the assumption that its presence would support the incorporation of silicon into the thin NCD layer and thus increase the luminescence of the silicon-vacancy centers. Applications of thin diamond layers with such colour centers find their place in bioimaging and in the form of nanoparticles have great potential as one photons source.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník příspěvků 9. Studentské vědecké konference fyziky pevných látek a materiálů

ISBN

978-80-01-06799-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

23-27

Název nakladatele

České vysoké učení technické v Praze

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

6. 10. 2020

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—