Er:YAG microchip for lasing in spectral range 2.94 μm and gain switching generation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F20%3A00344723" target="_blank" >RIV/68407700:21340/20:00344723 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1364/EUVXRAY.2020.JW1A.25" target="_blank" >https://doi.org/10.1364/EUVXRAY.2020.JW1A.25</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/EUVXRAY.2020.JW1A.25" target="_blank" >10.1364/EUVXRAY.2020.JW1A.25</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Er:YAG microchip for lasing in spectral range 2.94 μm and gain switching generation
Popis výsledku v původním jazyce
Highly doped Er:YAG microchip was prepared to make laser resonator compact and generate short pulses in gain switching regime. Pulse duration 306 ns with peak power 7 W and repetition rate 400 Hz were reached.
Název v anglickém jazyce
Er:YAG microchip for lasing in spectral range 2.94 μm and gain switching generation
Popis výsledku anglicky
Highly doped Er:YAG microchip was prepared to make laser resonator compact and generate short pulses in gain switching regime. Pulse duration 306 ns with peak power 7 W and repetition rate 400 Hz were reached.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA18-11954S" target="_blank" >GA18-11954S: Optimalizace pevnolátkových aktivních materiálů pro blízkou a střední infračervenou spektrální oblast</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů