Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F15%3A00242096" target="_blank" >RIV/68407700:21460/15:00242096 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26220/15:PU110779

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016" target="_blank" >10.1016/j.aeue.2014.10.016</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This brief presents the experimental results of the new principle technique named bulk-driven quasifloating-gate (BD-QFG) (Khateb and Khatib, 2013 [27]) MOS transistor (MOST) that was presented in AEU -International journal of Electronics and Communications in year 2014. The BD-QFG MOST offers high transconductance value and extended common mode voltage range (CMVR) all under low-voltage supply (LV) low-power consumption (LP) conditions. Based on this technique a differential difference current conveyor(DDCC) was designed and fabricated in Cadence platform using 0.35 mu m CMOS AMIS process with total chip area 213 mu m x 266 mu m. The voltage supply and the power consumption are 500 mV and 37 mu W, respectively. The experimental result shows near rail-to-rail common mode voltage range. (C) 2014 Elsevier GmbH. All rights reserved.

  • Název v anglickém jazyce

    The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor

  • Popis výsledku anglicky

    This brief presents the experimental results of the new principle technique named bulk-driven quasifloating-gate (BD-QFG) (Khateb and Khatib, 2013 [27]) MOS transistor (MOST) that was presented in AEU -International journal of Electronics and Communications in year 2014. The BD-QFG MOST offers high transconductance value and extended common mode voltage range (CMVR) all under low-voltage supply (LV) low-power consumption (LP) conditions. Based on this technique a differential difference current conveyor(DDCC) was designed and fabricated in Cadence platform using 0.35 mu m CMOS AMIS process with total chip area 213 mu m x 266 mu m. The voltage supply and the power consumption are 500 mV and 37 mu W, respectively. The experimental result shows near rail-to-rail common mode voltage range. (C) 2014 Elsevier GmbH. All rights reserved.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    AEU-International Journal of Electronics and Communications

  • ISSN

    1434-8411

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    69

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    462-466

  • Kód UT WoS článku

    000347495600061

  • EID výsledku v databázi Scopus