The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F15%3A00242096" target="_blank" >RIV/68407700:21460/15:00242096 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/15:PU110779
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2014.10.016" target="_blank" >10.1016/j.aeue.2014.10.016</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor
Popis výsledku v původním jazyce
This brief presents the experimental results of the new principle technique named bulk-driven quasifloating-gate (BD-QFG) (Khateb and Khatib, 2013 [27]) MOS transistor (MOST) that was presented in AEU -International journal of Electronics and Communications in year 2014. The BD-QFG MOST offers high transconductance value and extended common mode voltage range (CMVR) all under low-voltage supply (LV) low-power consumption (LP) conditions. Based on this technique a differential difference current conveyor(DDCC) was designed and fabricated in Cadence platform using 0.35 mu m CMOS AMIS process with total chip area 213 mu m x 266 mu m. The voltage supply and the power consumption are 500 mV and 37 mu W, respectively. The experimental result shows near rail-to-rail common mode voltage range. (C) 2014 Elsevier GmbH. All rights reserved.
Název v anglickém jazyce
The experimental results of the bulk-driven quasi-floating-gate MOS transistor
Popis výsledku anglicky
This brief presents the experimental results of the new principle technique named bulk-driven quasifloating-gate (BD-QFG) (Khateb and Khatib, 2013 [27]) MOS transistor (MOST) that was presented in AEU -International journal of Electronics and Communications in year 2014. The BD-QFG MOST offers high transconductance value and extended common mode voltage range (CMVR) all under low-voltage supply (LV) low-power consumption (LP) conditions. Based on this technique a differential difference current conveyor(DDCC) was designed and fabricated in Cadence platform using 0.35 mu m CMOS AMIS process with total chip area 213 mu m x 266 mu m. The voltage supply and the power consumption are 500 mV and 37 mu W, respectively. The experimental result shows near rail-to-rail common mode voltage range. (C) 2014 Elsevier GmbH. All rights reserved.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
AEU-International Journal of Electronics and Communications
ISSN
1434-8411
e-ISSN
—
Svazek periodika
69
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
462-466
Kód UT WoS článku
000347495600061
EID výsledku v databázi Scopus
—