Modifikovaný Hechtův model kvalifikující radiační poškození ve standardních a okysličených křemíkových detektorech poškozených protony o energii 10 MeV

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F07%3A15142578" target="_blank" >RIV/68407700:21670/07:15142578 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons

Popis výsledku v původním jazyce

The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2.

Název v anglickém jazyce

Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons

Popis výsledku anglicky

The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A, Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

ISSN

0168-9002

e-ISSN

—

Svazek periodika

576

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

75-79

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—