Active-edge planar silicon sensors for large-area pixel detectors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F11%3A00204578" target="_blank" >RIV/68407700:21670/11:00204578 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6154336" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6154336</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/NSSMIC.2011.6154336" target="_blank" >10.1109/NSSMIC.2011.6154336</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Active-edge planar silicon sensors for large-area pixel detectors
Popis výsledku v původním jazyce
We study the influence of active edges on the response of edge pixels by comparing simulations of the electrostatic-potential distribution to position-defined measurements on the energy deposition. A laser setup was used to measure the edge-pixel response function and shows the sensitive edge is only about 2 ?m from the physical edge. 3D reconstruction of tracks from high-energy pions and muons, produced at the SPS H6 test beam facility at CERN, enabled to relate the energy deposition at edge pixels tothe particle's interaction depth. A clear correlation is observed between the simulated electric-field distortion and the reconstructed interaction-depth dependent effective size.
Název v anglickém jazyce
Active-edge planar silicon sensors for large-area pixel detectors
Popis výsledku anglicky
We study the influence of active edges on the response of edge pixels by comparing simulations of the electrostatic-potential distribution to position-defined measurements on the energy deposition. A laser setup was used to measure the edge-pixel response function and shows the sensitive edge is only about 2 ?m from the physical edge. 3D reconstruction of tracks from high-energy pions and muons, produced at the SPS H6 test beam facility at CERN, enabled to relate the energy deposition at edge pixels tothe particle's interaction depth. A clear correlation is observed between the simulated electric-field distortion and the reconstructed interaction-depth dependent effective size.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference 2011
ISBN
978-1-4673-0118-3
ISSN
1082-3654
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1329-1333
Název nakladatele
Omnipress
Místo vydání
Piscataway, New Jersey
Místo konání akce
Valencia
Datum konání akce
23. 10. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000304755601110