How can chips live under radiation?

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F13%3A00222634" target="_blank" >RIV/68407700:21670/13:00222634 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4614-4587-6_11" target="_blank" >http://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4614-4587-6_11</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-4587-6_11" target="_blank" >10.1007/978-1-4614-4587-6_11</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

How can chips live under radiation?

Popis výsledku v původním jazyce

Interactions of different types of radiation in silicon are discussed together with effects on devices. Long-term irradiations cause 'Total Ionization-Dose' degradation and 'Single Event Effects' occur when dense ionization upsets a small area in a chip.At the CERN Large Hadron Collider LHC we expect a severe radiation environment, yet sophisticated chips are needed. Some remedies against radiation effects are illustrated. One can use changes in technology, in device geometry, in circuit design or in layout. At system level one can recover loss of functions or data. Trends in CMOS technology call for continuous study of behaviour of new devices under radiation. The increased use of chips for critical functions everywhere imposes study of rare effectsof radiation, not only in extreme conditions. With large areas of silicon in operation worldwide, low probabilities do result in real incidents.

Název v anglickém jazyce

How can chips live under radiation?

Popis výsledku anglicky

Interactions of different types of radiation in silicon are discussed together with effects on devices. Long-term irradiations cause 'Total Ionization-Dose' degradation and 'Single Event Effects' occur when dense ionization upsets a small area in a chip.At the CERN Large Hadron Collider LHC we expect a severe radiation environment, yet sophisticated chips are needed. Some remedies against radiation effects are illustrated. One can use changes in technology, in device geometry, in circuit design or in layout. At system level one can recover loss of functions or data. Trends in CMOS technology call for continuous study of behaviour of new devices under radiation. The increased use of chips for critical functions everywhere imposes study of rare effectsof radiation, not only in extreme conditions. With large areas of silicon in operation worldwide, low probabilities do result in real incidents.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LG13009" target="_blank" >LG13009: Mezinárodní experiment ATLAS-CERN</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nyquist AD Converters, Sensor Interfaces, and Robustness - Advances in Analog Circuit Design, 2012

ISBN

978-1-4614-4586-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

19

Strana od-do

203-221

Název nakladatele

Springer

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Valkenburg aan de Geul

Datum konání akce

27. 3. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—