Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F16%3A00302434" target="_blank" >RIV/68407700:21670/16:00302434 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7482701/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7482701/</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2574961" target="_blank" >10.1109/TNS.2016.2574961</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon
Popis výsledku v původním jazyce
In this study we present the ionizing energy depositions in a 300 μm thick silicon layer after fast neutron impact. With the Time-of-Flight (ToF) technique, the ionizing energy deposition spectra of recoil silicons and secondary charged particles were assigned to (quasi-)monoenergetic neutron energies in the range from 180 keV to hundreds of MeV. We show and interpret representative measured energy spectra. By separating the ionizing energy losses of the recoil silicon from energy depositions by products of nuclear reactions, the competition of ionizing (IEL) and non-ionizing energy losses (NIEL) of a recoil silicon within the silicon lattice was investigated. The data give supplementary information to the results of a previous measurement and are compared with different theoretical predictions.
Název v anglickém jazyce
Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon
Popis výsledku anglicky
In this study we present the ionizing energy depositions in a 300 μm thick silicon layer after fast neutron impact. With the Time-of-Flight (ToF) technique, the ionizing energy deposition spectra of recoil silicons and secondary charged particles were assigned to (quasi-)monoenergetic neutron energies in the range from 180 keV to hundreds of MeV. We show and interpret representative measured energy spectra. By separating the ionizing energy losses of the recoil silicon from energy depositions by products of nuclear reactions, the competition of ionizing (IEL) and non-ionizing energy losses (NIEL) of a recoil silicon within the silicon lattice was investigated. The data give supplementary information to the results of a previous measurement and are compared with different theoretical predictions.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
R - Projekt Ramcoveho programu EK
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
IEEE Transactions on Nuclear Science
ISSN
0018-9499
e-ISSN
—
Svazek periodika
63
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
2372-2378
Kód UT WoS článku
000382469200015
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84984677464