Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F16%3A00302434" target="_blank" >RIV/68407700:21670/16:00302434 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7482701/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7482701/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2574961" target="_blank" >10.1109/TNS.2016.2574961</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this study we present the ionizing energy depositions in a 300 μm thick silicon layer after fast neutron impact. With the Time-of-Flight (ToF) technique, the ionizing energy deposition spectra of recoil silicons and secondary charged particles were assigned to (quasi-)monoenergetic neutron energies in the range from 180 keV to hundreds of MeV. We show and interpret representative measured energy spectra. By separating the ionizing energy losses of the recoil silicon from energy depositions by products of nuclear reactions, the competition of ionizing (IEL) and non-ionizing energy losses (NIEL) of a recoil silicon within the silicon lattice was investigated. The data give supplementary information to the results of a previous measurement and are compared with different theoretical predictions.

  • Název v anglickém jazyce

    Ionizing Energy Depositions After Fast Neutron Interactions in Silicon

  • Popis výsledku anglicky

    In this study we present the ionizing energy depositions in a 300 μm thick silicon layer after fast neutron impact. With the Time-of-Flight (ToF) technique, the ionizing energy deposition spectra of recoil silicons and secondary charged particles were assigned to (quasi-)monoenergetic neutron energies in the range from 180 keV to hundreds of MeV. We show and interpret representative measured energy spectra. By separating the ionizing energy losses of the recoil silicon from energy depositions by products of nuclear reactions, the competition of ionizing (IEL) and non-ionizing energy losses (NIEL) of a recoil silicon within the silicon lattice was investigated. The data give supplementary information to the results of a previous measurement and are compared with different theoretical predictions.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    R - Projekt Ramcoveho programu EK

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Transactions on Nuclear Science

  • ISSN

    0018-9499

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    63

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    2372-2378

  • Kód UT WoS článku

    000382469200015

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84984677464