Adsorpce/desorpce Saccharomyces Cerevisiae na plazmou deponovaných organokřemičitých tenkých vrstvách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F06%3A63504770" target="_blank" >RIV/70883521:28110/06:63504770 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Attachment/detachment of Saccharomyces cerevisiae on plasma deposited organosilicon thin films

Popis výsledku v původním jazyce

Bio-interactive and bio-inert materials prepared by plasma deposition of organosilicon thin films on polycarbonate substrates were studied and described in this communication. The atmospheric pressure surface barrier discharge was applied. Nitrogen withsmall admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used as plasma discharge gas. The zeta potential measurement followed by cell adhesion to polystyrene was used to find optimal values of stability of the cell suspension and cell adhesion to the testedsurfaces. The samples of plasma deposited layers were characterized by contact angle measurement.

Název v anglickém jazyce

Attachment/detachment of Saccharomyces cerevisiae on plasma deposited organosilicon thin films

Popis výsledku anglicky

Bio-interactive and bio-inert materials prepared by plasma deposition of organosilicon thin films on polycarbonate substrates were studied and described in this communication. The atmospheric pressure surface barrier discharge was applied. Nitrogen withsmall admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used as plasma discharge gas. The zeta potential measurement followed by cell adhesion to polystyrene was used to find optimal values of stability of the cell suspension and cell adhesion to the testedsurfaces. The samples of plasma deposited layers were characterized by contact angle measurement.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

22nd Symposium on Plasma Physics and Technology

ISBN

80-01-03506-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

86

Název nakladatele

Vydavatelství ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

—

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

—

Kód UT WoS článku

—