Filtry
Deposition of Pd Nanoparticles on InP by Electrophoresis: Dependence on Electrode Polarity
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Detectors of Gamma Rays and Alpha Particles Based on Ta-Doped InP Converted to the Semi-Insulating State by Annealing
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Detektory alfa-částic s "guard-rings" elektrodou na bázi InP dopovaného Ti a Zn operujici při pokojové teplotě
V této práci je prezentováno studium detektoru alfa částic s ?guard-ring? (GR) elektrodou operujících při pokojových teplotách (RT). Pro realizace detektorů bylo použito krystaly semiizolačního (SI) InP kodopované atomy Ti a Zn, připravených metodou ...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Electrophoretic Deposition of Metal Nanoparticles with Reverse Micelles onto InP
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Vysoce účinné detektory alfa částic na bázi SI InP dopované Ti a Zn
V této práci je prezentováno vysoce účinné detektory alfa částic na bázi semi-izolačního (SI) InP, připravených metodou Czochralského (LEC). Pro dosažení SI stavu krystaly InP je kodopování atomy Ti, které vstupují do mřížky InP jako hluboké donory, ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn
Schottkyho diody byly zkoumány měřením teplotně závislých charakteristik proud-napětí a kapacita-napětí a admitanční spektroskopií. Charakteristiky proud-napětí byly vypočteny s uvážením termiontové emise, seriového odporu objemu InP a nelineárního s...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Semi-insulating InP detectors with guard ring electrode
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Růst objemových krystalů indium fosfidu pro detektory záření
Pro růst monokrystalického InP Czochralského metodou se využívá polykrystalický InP připravený Bridgemanovu nízkotlakou vertikální syntézu. Semiizolačního stavu, který je nezbytný pro detektorové struktury, bylo dosaženo dopováním železem nebo ko-dop...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Fotoluminiscence koloidních germániových nanočástic stimulovaná elektronovým polem
GH4 se nechá hořet ve vzduchu do vytvoření prášku, který se částečně rozpouští ve formě malých koloidních částic v acetonu nebo cyklohexanové směsi Částice se skládají ze 73% germania a 27% kyslíku Leptáním kyselinou fluorovodíkovou získají částice m...
BH - Optika, masery a lasery
- 2007 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 26