Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Heterostruktury a nanostruktury polovodičů III-V pro nové elektronické a fotonické aplikace

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

  • Program

    Šestý rámcový program Evropského společenství pro výzkum, technický rozvoj a demonstrační činnosti

  • Veřejná soutěž

    FP6-2006-Mobility-4

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    RP - Spolufinancování programu EK

  • Číslo smlouvy

    MSMT-11646/2012-36

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    III-V semiconductor heterostructures/nanostructures towards innovative electronic and photonic applications

  • Anotace anglicky

    The project aims at the atomic scale profound understanding and tailoring of growth mechanisms, microstructure and physical properties of highly mismatched III-V heterostructures, quantum dot (QD) nanostructures and metal nanoparticles (MNPs) grown on nanoporous and compact substrates. Periodic porous structures in InP and GaAs will be prepared by electrochemical etching and In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y) layers and InAs/GaAs QDs will be grown by liquid and metal organic vapour phase epitaxy. Schottky barrierswill be formed by MNPs deposition onto InP by electrophoresis and by photoinduced decomposition of inorganic salts. Quantitative transmission electron microscopy will be used to study the nucleation mechanisms the microstructure of the epilayers, the shape and size of QDs and MNPs the local interfacial structure and the strain distribution at the heterointerfaces. Physical properties will be characterized by ballistic electron emission spectroscopy, photoluminescence and microcathodoluminescence.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

    JJ - Ostatní materiály

  • CEP - další vedlejší obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Projekt je realizován v rámci Aktivity MOBILITY, jejímž hlavním cílem je navázání a prohlubování kontaktů se zahraničními výzkumnými institucemi. Neprobíhá tedy kontrola dílčích výstupů projektu prostřednictvím hodnotící komise, avšak je kontrolována sp?

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2012

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2013

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    20. 2. 2013

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP14-MSM-7A-U/01:1

  • Datum dodání záznamu

    30. 6. 2014

Finance

  • Celkové uznané náklady

    140 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    140 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč