Příprava polovodičových kvantových heterostruktur GaAs/AlGaAs technologií MBE a jejich optimalizace
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
MBE growth and optimization of semiconductor GaAs/AlGaAs quantum heterostructures
Anotace anglicky
Aim of this project is to grow and optimize semiconductor GaAs / AlGaAs quantum structures with very smooth interfaces by the technology of molecular beam epitaxy (MBE). A systematic growth study of very smooth heterointerfaces will be performed using modified growth techniques ( growth interruption combined with phase locked epitaxy and migration enhanced epitaxy). It is intended to prepare single quantum wells and double quantum well structures, both symmetrical and asymmetrical, in doped and undopedmodifications and to study their optical and transport behaviour. The low temperature photoluminescence, magnetophotoluminescence and photoconductivity will be used to study opticaproperties. The doped structures with two-dimensional electron gas will beutilized to examine the low temperature electron transport in low or quantized magnetic fields, first of all for detailed examination of electron
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Projekt umožnil zdokonalit technologické zařízení pro reprodukovatelnou přípravu polovodičových heterostruktur - MBE, které je v ČR unikátní a přinesl původní nové poznatky o chování nízkodimenzionálních kvantových systémů. Cíle stanovené v projektu byly
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 1999
Ukončení řešení
1. 1. 2001
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2002/GA0/GA02GA/U/N/7:3
Datum dodání záznamu
1. 4. 2003
Finance
Celkové uznané náklady
3 954 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
1 954 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
6 000 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč