Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Příprava polovodičových kvantových heterostruktur GaAs/AlGaAs technologií MBE a jejich optimalizace

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    MBE growth and optimization of semiconductor GaAs/AlGaAs quantum heterostructures

  • Anotace anglicky

    Aim of this project is to grow and optimize semiconductor GaAs / AlGaAs quantum structures with very smooth interfaces by the technology of molecular beam epitaxy (MBE). A systematic growth study of very smooth heterointerfaces will be performed using modified growth techniques ( growth interruption combined with phase locked epitaxy and migration enhanced epitaxy). It is intended to prepare single quantum wells and double quantum well structures, both symmetrical and asymmetrical, in doped and undopedmodifications and to study their optical and transport behaviour. The low temperature photoluminescence, magnetophotoluminescence and photoconductivity will be used to study opticaproperties. The doped structures with two-dimensional electron gas will beutilized to examine the low temperature electron transport in low or quantized magnetic fields, first of all for detailed examination of electron

Vědní obory

  • Kategorie VaV

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Projekt umožnil zdokonalit technologické zařízení pro reprodukovatelnou přípravu polovodičových heterostruktur - MBE, které je v ČR unikátní a přinesl původní nové poznatky o chování nízkodimenzionálních kvantových systémů. Cíle stanovené v projektu byly

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 1999

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2001

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/2002/GA0/GA02GA/U/N/7:3

  • Datum dodání záznamu

    1. 4. 2003

Finance

  • Celkové uznané náklady

    3 954 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    1 954 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    6 000 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč