Povrchy nanovrstev GaAs a Ga1-xMnxAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí
Cíle projektu
Krystalické nanovrstvy GaAs budou připraveny nízkoteplotní molekulární epitaxí (LT MBE) a budou kontrolovány in situ pomocí RHEED. Tato epitaxe umožňuje zabudovat magnetické nečistoty do polovodiče a tak směřuje k perspektivnímu vytvoření materiálu kombinujícího magnetické vlastnosti s pokročilou polovodičovou technologií. Nízkoteplotní růst poskytuje nanovrstvy s fyzikálními vlastnostmi závisejícími na růstových podmínkách a na následujícím temperování. Vzorky se budou transportovat v ultravysokémvakuudo úhlově rozlišeného elektronového spektrometru. Budou se měřit intenzity elektronových svazků difraktovaných od povrchu, energiově a úhlově rozlišená fotoelektronová spektra emitovaná z valenčního pásu a z vnitřních hladin atomů. Experimentální data se budou interpretovat teoreticky pomocí dynamické teorie LEED, jednostupňového modelu fotoemise a fotoelektronové difrakce z konečného souboru atomů. Feromagnetické vzorky dotované Mn se budou studovat polarizovanými fotony ze zdroje
Klíčová slova
GaAs nanolayersMBEsurface crystallographyelectron and magnetic structureLEED
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 10 (SGA02007GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
202/07/0601
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Surfaces of crystalline nanolayers GaAs and Ga1-xMnxAs deposited by low-temperature molecular beam epitaxy
Anotace anglicky
GaAs crystalline nanolayers will be prepared by the low-temperature molecular beam epitaxy (LT MBE) and controlled in situ by means of RHEED. The LT MBE enables incorporation of magnetic impurities into the semiconductor and thus aims to perspective combination of magnetic properties with the advanced semiconductor structure technology. This LT growth technique provides samples with physical properties depending on the details of the growth conditions and of the annealing. The samples will be transported under ultrahigh vacuum to the angular resolved electron spectrometer. The intensities of electron beams diffracted from the surface, energy- and angle- resolved distributions of electrons photoemitted from the valence band and from the core levels willbe measured. The experimental data will be interpreted theoretically by means of the dynamical theory of LEED, of the one-step model of angle-resolved photoemission and of the cluster model for photoelectron diffraction. Ferromagnetic
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Pro studium povrchů nanovrstev GaAs a (Ga,Mn)As připravených v laboratoři MBE FZÚ bylo uvedeno do provozu přenosné zařízení umožňující přenos neporušených povrchů od nové aparatury Veeco pod ultravysokým vakuem do fotoelektronového spektrometru ADE?
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2007
Ukončení řešení
31. 12. 2010
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
16. 4. 2010
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP11-GA0-GA-U/03:3
Datum dodání záznamu
9. 2. 2015
Finance
Celkové uznané náklady
2 437 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 437 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 437 tis. Kč
Statní podpora
2 437 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2007 - 31. 12. 2010