Krystalografie, elektronová a magnetická struktura povrchů nanovrstev GaAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Crystallography, electron and magnetic structure of GaAs nanolayer surfaces prepared by low-temperature molecular beam epitaxy

Anotace anglicky

GaAs crystalline nanolayers will be prepared by the low-temperature molecular beam epitaxy (LT MBE); their thickness and morphology will be controlled in situ by means of RHEED. The LT MBE enables incorporation of magnetic impurities into the semiconductor and thus aims to perspective combination of magnetic properties with the advanced semiconductor technology. This technique provides samples with physical properties different from those prepared by the standard high-temperature MBE and these properties depend on the details of the growth conditions. The samples will be transported under ultrahigh vacuum to the elctron spectrometer. There, the intensities of low energy electron beams diffracted from the surface and energy distributions of electrons photoemitted from the (100) surface excited by the He I radiation will be measured. The experimental data will be interpreted by means of the dynamical theory of LEED and of the one-step model of angle-resolved photoemission to provide the

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Práce na projektu přinesla vedle pokroku v přípravě (100) povrchů vrstev GaAs řadu původních výsledků při studiu krystalografie a elektronové struktury povrchů (určení složité rekostrukce povrchu a elektronové struktury valenčního pásu, zejména c(4x4)) a

Zahájení řešení

1. 1. 2004

Ukončení řešení

1. 1. 2006

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP07-GA0-GA-U/03:2

Datum dodání záznamu

16. 10. 2007

Celkové uznané náklady

1 900 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 900 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč