Výzkum a vývoj polovodičových struktur karbidu křemíku

Název projektu anglicky
R&D of Silicon Carbide Semiconductor Structures
Anotace anglicky
R&D of technology for the production of polished and epitaxial silicon carbide wafers with a diameter of 200 mm for semiconductor applications. R&D of technology for the production of semiconductor devices based on silicon carbide for power applications. Analysis of SiC structures and R&D of new methods of SiC characterization. Validation of technologies, their demonstration by a functional sample and completion of R&D activities at a level enabling the implementation of project results immediately after their achievement. Development of effective cooperation between industrial and academic R&D with the real implementation of the Chips Act to strengthen Europe's competitiveness and resilience in the field of semiconductor technologies.

Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20501 - Materials engineering
OECD FORD - vedlejší obor
20201 - Electrical and electronic engineering
OECD FORD - další vedlejší obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP - odpovídající obory (dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika JB - Senzory, čidla, měření a regulace JG - Hutnictví, kovové materiály JP - Průmyslové procesy a zpracování

Důvěrnost údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Systémové označení dodávky dat
CEP23-TA0-FW-R
Datum dodání záznamu
2. 3. 2023

Podobné projekty(10)