Výzkum a vývoj polovodičových struktur karbidu křemíku

Název projektu anglicky
R&D of Silicon Carbide Semiconductor Structures
Anotace anglicky
R&D of technology for the production of polished and epitaxial silicon carbide wafers with a diameter of 200 mm for semiconductor applications. R&D of technology for the production of semiconductor devices based on silicon carbide for power applications. Analysis of SiC structures and R&D of new methods of SiC characterization. Validation of technologies, their demonstration by a functional sample and completion of R&D activities at a level enabling the implementation of project results immediately after their achievement. Development of effective cooperation between industrial and academic R&D with the real implementation of the Chips Act to strengthen Europe's competitiveness and resilience in the field of semiconductor technologies.

Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20501 - Materials engineering
OECD FORD - vedlejší obor
20201 - Electrical and electronic engineering
OECD FORD - další vedlejší obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP - odpovídající obory (dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika JB - Senzory, čidla, měření a regulace JG - Hutnictví, kovové materiály JP - Průmyslové procesy a zpracování

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Uspěl s vynikajícími výsledky. Cílem projektu byl výzkum a vývoj technologie výroby leštěných a epitaxních desek karbidu křemíku průměru 200 mm pro polovodičové aplikace. Deklarované činnosti vedly ke splnění stanovených cílů projektu. Po odborné stránce jsou dosažené výsledky na vynikající úrovni, lze potrhnout, že výsledek má charakter světové novosti z hlediska použitých výrobních procesů, jeho technických a ekonomických parametrů. S využitím výsledku jsou přímo spojena vysoká komerční očekávání a zvažovaná investice do SiC technologií v Rožnově v celkovém objemu 2 mld. USD.

Důvěrnost údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Systémové označení dodávky dat
CEP26-TA0-FW-U
Datum dodání záznamu
11. 9. 2026

Podobné projekty(10)