Nové metody lokálního řízení doby života v polovodičích

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 2 (SGA02003GA-ST)

Hlavní účastníci

České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Novel methods of local lifetime control in semiconductors

Anotace anglicky

The goal is to study mechanisms of a new method for creation of profiles of generation- recombination (g-r) centers in silicon with optimal electronic parameters and shape of their profile. Achievement of this combination in the expected extent was notavailable so far. The principle of method to be studied in this grant is based on interaction of platinum with radiation defects resulting from alpha particle irradiation. The g-r centers resulting from traditional platinum diffusion provide good g-rproperties, but do not allow for formation of a required shape of the profile necessary for achievement of optimal relevant device electrical parameters. On the other hand, the radiation defects enable one to achieve nearly arbitrary shape of the defectprofilein reproducible way, but the g-r properties are not optimal. The goal of the project is to combine advantages of both the approaches mentioned above. This is available under appropriate processing conditions for interaction of platinum with

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Ucelený soubor znalostí fyzikálně-technologické povahy pro zabudování platiny (Pt) do substituční polohy nízkoteplotní difúzí řízenou radiačními poruchami (vakancemi) po ozáření vysokoenergetickými alfa částicemi ze zdroje tvořeného vrstvou silicidu plat

Zahájení řešení

1. 1. 2003

Ukončení řešení

1. 1. 2005

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP06-GA0-GA-U/07:6

Datum dodání záznamu

15. 1. 2009

Celkové uznané náklady

1 064 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 064 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč